产品信息
参数
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制造商: Diodes Incorporated DMG4435SSS-13
产品种类: MOSFET
RoHS: ? 详细信息
技术: Si DMG4435SSS-13
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 35.4 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: DMG4435
封装: Reel DMG4435SSS-13
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 22.8 ns
正向跨导 - zui小值: 22 S
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 12.7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: P-Channel
典型关闭延迟时间: 44.9 ns
典型接通延迟时间: 8.6 ns
单位重量: 750 mg
DMG4435SSS-13
DMG4435SSS-13
DIODES
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装