产品信息
参数
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制造商: Diodes Incorporated DMT69M8LFV-13
产品种类: MOSFET
技术: Si DMT69M8LFV-13
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI3333-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, %2B 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 33.5 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel DMT69M8LFV-13
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 34 mg
DMT69M8LFV-13
DMT69M8LFV-13
DIODES
POWERDI3333-8L
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装